A股指数涨跌不一,存储芯片市场迎来新周期

网络 2025-10-16 15:51:03
证券研报 2025-10-16 15:51:03 阅读


  A股三大指数今日涨跌不一,截止收盘,沪指涨0.10%,收报3916.23点;深证成指跌0.25%,收报13086.41点;创业板指涨0.38%,收报3037.44点。沪深两市成交额跌破2万亿,今日仅有19311亿,较昨日缩量1417亿。行业板块涨少跌多,保险、煤炭行业、航运港口、银行板块涨幅居前,小金属、贵金属、风电设备、钢铁行业、采掘行业、化肥行业跌幅居前。个股方面,上涨股票数量接近1200只,逾50只股票涨停。

  据媒体报道,存储模组大厂威刚董事长陈立白表示,当前DRAM内存、NAND闪存、固态硬盘、机械硬盘等存储产品全面缺货,这种情况30年未见。他认为这背后是云服务供应商大规模采购的强劲需求推动,存储行业将迎来多年期牛市。针对DDR4内存市场,陈立白指出三星半导体、SK海力士、美光等三大DRAM厂商已拆除DDR4产线设备,重新生产DDR4并不划算。这意味着DDR4将进入约2年的长尾市场阶段,供应缺口远超预期。

  近年来,随着AI技术飞速发展以及AI数据中心等基建需求大增,存储芯片需求相当旺盛。信达证券表示,AI产品增长影响存储供需两端,四季度DRAM和NAND价格预计延续增长态势。德邦证券指出,本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建,持续性可能更强。

  信达证券:四季度DRAM和NAND价格预计延续增长态势

  AI产品增长影响存储供需两端,四季度DRAM和NAND价格预计延续增长态势。TrendForce则预估,第四季度旧制程DRAM整体价格环比增长8%~13%,HBM价格环比增涨13%~18%;NAND Flash第四季度各类产品合约价或将全面上涨,平均涨幅预计达到5%~10%。

  德邦证券:本轮存储芯片上行周期持续性可能更强

  存储芯片于2024年开启新上行周期,核心受益于AI基建带来的需求增长。前两轮周期本质更多依托消费端发力,而本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建,持续性可能更强。

  天风证券:HBM瓶颈凸显产业痛点

  AI推理成价值核心,HBM瓶颈凸显产业痛点。当前,AI推理已成为衡量大模型商业化价值的关键标尺,为突破算力瓶颈与“存储墙”制约,“以存代算”作为一种颠覆性技术范式应运而生。该技术通过将AI推理过程中的矢量数据昂贵的DRAM和HBM显存迁移至大容量、高性价比的SSD介质,实现存储层从内存向SSD的战略扩展,而非简单替代。其核心价值在于显著降低首Token时延、提升推理吞吐量,并大幅优化端到端的推理成本,为AI大规模落地提供可行路径。

  中信证券:2026年大容量QLCSSD有望出现爆发性增长

  9月以来,根据Bloomberg、CFM闪存市场,NAND Flash Wafer和部分存储模组均有不同程度上涨,涨幅个位数。展望后续,Trend Force预计2025年四季度NAND Flash价格将上涨5%~10%,后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期,2026年大容量QLCSSD有望出现爆发性增长。

  国金证券:DRAM价格或继续增长

  根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品,并陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL),引发市场对旧世代产品积极备货,叠加传统旺季备货动能,将推升2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价格季增10%至15%,若纳入HBM,整体DRAM涨幅将季增15%至20%。

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(文章来源:东方财富研究中心)

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