
HBM4价格暴涨50%引爆市场,A股HBM概念股全线飙升
11月6日A股HBM概念大幅上涨,壹石通、亚威股份等领涨。SK海力士与英伟达达成HBM4供应协议,价格较HBM3E暴涨50%至560美元。受此影响,SK海力士、美光科技股价创历史新高,A股HBM概念股年内平均涨幅达56.09%,香农芯创、精智达等

HBM概念股表现强劲,SK海力士与英伟达达成HBM4供应协议
A股HBM概念股达20余只,市值近5000亿,平均涨幅超创业板指。SK海力士与英伟达就HBM4供应达成协议,价格较HBM3E高出50%以上,将用于英伟达下一代AI芯片。

SK海力士HBM4供应价格确认,HBM市场前景广阔
SK海力士与英伟达就HBM4供应完成谈判,价格高出预期。HBM在AI服务器领域成主流,市场规模预计持续增长。国产HBM量产势在必行,上游设备材料或迎扩产机遇。

SK海力士与英伟达敲定HBM4供应,价格飙升引领AI芯片新趋势
SK海力士与英伟达就明年HBM4供应完成价格和数量谈判,HBM4价格比HBM3E高出50%以上。SK海力士是全球HBM市场主导者,三季度营收和利润同比暴增。HBM4为第六代产品,将带来带宽和容量巨大提升,业界正探索更深度融合技术。

全球市场大变脸:A股、亚太、美股盘前集体跳水
11月4日全球市场大跳水,A股三大指数集体下跌,亚太市场、美股盘前均现大跌。美联储降息预期、华尔街CEO警告市场估值过高、韩国交易所罕见警告,多重因素致全球市场共振下跌。

存储芯片巨头提价,存储芯片市场迎超级周期
存储芯片巨头三星电子和SK海力士将上调存储产品价格,摩根士丹利预测存储芯片行业将迎来超级周期。二级市场存储芯片概念股年内涨幅亮眼,18股累计涨幅翻倍。资金面上,存储芯片板块获融资资金净流入。

芯片股集体异动:韩日美股市齐涨,A股存储芯片概念股跟风
10月16日,韩日美芯片股集体大涨,SK海力士、三星电子等刷新历史新高。A股存储芯片概念股大幅异动,多股涨停。海外存储原厂相继宣布涨价,供需共振推动存储周期向上。AI拉动存储需求持续攀升,行业周期向产业大周期演绎,存储市

全球半导体回暖,外资回流推高韩国股市,韩综指首破3500点
受全球半导体行业回暖及美国科技股上涨影响,外资回流韩国股市,推动韩综指跳空高开,盘中涨超3%并首破3500点,半导体板块领涨,SK海力士和三星电子股价大涨。

三星SK海力士与OpenAI合作 存储芯片巨头股价飙升
周四韩国存储芯片巨头三星电子与SK海力士股价大涨,此前与OpenAI达成合作提供芯片解决方案。三星股价创2021年来新高,SK海力士创历史峰值。合作聚焦AI芯片供应,HBM需求激增,行业或迎超级周期。

DDR4供应紧张价格飙升,三星SK海力士延长生产计划
财联社9月2日讯,由于DDR4 DRAM供不应求,三星和SK海力士转变生产计划,延长DDR4生产至明年。DDR4价格飙升,甚至出现罕见“价格倒挂”,超过DDR5。TrendForce预测,DDR4市场将持续供应不足,价格强劲增长。

2025年二季度DRAM市场创新高,SK海力士领跑
在AI驱动及存储原厂EOL通知刺激下,2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元,SK海力士以38.2%市场份额蝉联第一。需求端迭代滞后,利基DRAM行情景气度有望持续,存储芯片产业链有望探底回升,相关上市公司包括

存储产业分化加剧:HBM成竞争核心,NAND市场支撑不足
存储产业分化态势加剧,SK海力士和美光业绩创新高得益于HBM需求高涨,但NAND市场支撑不足。HBM成竞争核心,手机巨头考虑引入,同时面临发展变数。DRAM和NAND市场表现分化,产业链厂商对后市持审慎态度。
本周焦点