存储巨头争抢HBM4市场份额：三星领先，SK海力士追赶
随着英伟达Vera Rubin出货节点日益临近，存储巨头围绕HBM4市场份额的霸权争夺战已然打响。三星率先亮出底牌，决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的性能。芯片尺寸的扩大能保证TSV工艺的稳定性，当三星的DRAM拥有更大的可用面积，TSV布局方面即可获得更大的灵活性。然而，增大DRAM尺寸或意味着利润缩水。另一方面，三星对其尖端工艺充满信心，宣称从量产之初就确保了稳定的良率和行业领先的性能。资料显示，JEDEC最初仅将HBM4的性能标准设定为8 Gbps，但内存供应商最近将其提高到11.7 Gbps。在HBM4销售上，三星已取得些许优势，根据市场调查机构Omdia的报告，三星电子2025年第四季DRAM市占率达36.6%。另一方面，SK海力士在量产进度上进行追赶，提前了四个月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆。根据TrendForce集邦咨询最新HBM产业研究，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。
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