三星SK海力士上调HBM3E价格 涨幅接近20% | SEO优化

①一般在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前代产品价格，因此本次涨价较为罕见。②除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。③美光此前透露，2026年全年HBM已全部售罄。

据韩国《朝鲜日报》今日消息，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

在这背后，是供需两端的共同作用。供应方面，存储厂商预计明年第六代HBM（即HBM4）需求将增加，加大对其产能投入，导致HBM3E产能遭到积压。

需求方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。

其中，英伟达H200芯片每颗搭载6颗HBM3E；搭载HBM3E的谷歌第七代TPU和亚马逊Trainium将于明年开始出货，两款产品HBM搭载量均较上一代产品增加约20%至30%，前者每颗搭载8颗HBM3E，后者搭载4颗HBM3E。

KB Securities指出，由于ASIC需求激增，以ASIC为主要客户的三星，2026年HBM总出货量将有望较2025年暴增3倍，预估将达111亿Gb。且其预计明年HBM市场的营收占比将为HBM4占55%、HBM3E占45%；从明年第三季度起，HBM4将快速吸收HBM3E的需求。

值得注意的是，美光在上周的业绩会上，同样对HBM给出了乐观预期。

公司高管透露，公司2026年（日历年）全年HBM的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄；预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年将达到1000亿美元（2025年为350亿美元），复合年增长率约40%。美光预计2026年资本支出将达200亿元，用于支持HBM和1-gamma DRAM供应。

招商证券表示，预计存储产业后续DRAM和NAND资本开支将会持续增长，但对2026年产能助力有限，预计2026年DRAM和NAND资本开支分别将增长14%和5%，但扩产次序还是优先AI高端存储，NAND类相对靠后。

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