碳化硅技术突破：12英寸晶圆剥离引领半导体新篇章

　　近期，中国科学院半导体研究所科技成果转化企业北京晶飞半导体科技在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。这一碳化硅技术突破标志着中国在第三代半导体关键制造装备领域迈出重要一步，为全球碳化硅产业的降本增效提供了全新解决方案。

　　晶飞半导体表示，本次技术突破对碳化硅产业发展具有多重意义，主要包括：12英寸碳化硅晶圆相比目前主流的6英寸晶圆，可用面积提升约4倍，单位芯片成本降低30%—40%；解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈，为全球碳化硅产能扩张提供了设备保障；打破了国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断，为我国半导体装备自主可控提供了重要支撑；成本降低将加速碳化硅器件在新能源汽车、可再生能源等领域的应用。

　　据了解，碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，其独特的物理特性包括耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料到器件的全链条性能优势显著，兼具高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，正成为未来半导体行业发展的重要方向。

　　碳化硅功率器件被广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏储能、数据中心服务器等应用领域，其市场规模快速扩张。根据Yole数据，2024年全球碳化硅功率器件市场规模为34.3亿美元，预计2030年有望达到103.85亿美元，2024—2030年的年复合增长率约20%。随着碳化硅应用领域的拓展，其市场潜力持续释放。

　　随着碳化硅技术领域的持续突破，其材料优势正从传统功率器件领域向半导体制造核心环节延伸。东方证券研报认为，随着英伟达GPU芯片的功率越来越大，将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求，而如果采用导热率更好的SiC中介层，其散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸。基于此，部分头部公司已经注意到碳化硅在中介层中的应用潜力。此外，碳化硅也有望在散热载板中得到应用。

　　据证券时报·数据宝统计，A股中布局碳化硅产业的个股共有42只，9月以来概念股以回调为主，平均下跌1.34%。其中，15股9月以来逆市上涨，天岳先进、弘元绿能、德龙激光累计涨幅居前，分别达到23.38%、23.21%、17.34%。

　　天岳先进半年报显示，公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。

　　碳化硅概念股普遍注重研发创新，半年报数据显示，42只概念股今年上半年研发费用合计达到105.05亿元，24股研发费用同比去年实现增长，燕东微、英唐智控、北方华创研发费用同比增幅居前，分别达到221.21%、111.6%、52.74%。

　　燕东微在半年报中披露了上半年的研发成果，碳化硅领域方面，基于6英寸SiC生产线，持续提升工艺技术能力，小pitch MOSFET技术验证版完成首轮产品流片，确认工艺基限。公司上半年实现归母净利润1.28亿元，同比扭亏为盈。

　　部分碳化硅概念股获得QFII的青睐，统计显示，6股半年报前十大流通股东名单中出现QFII的身影，按6月30日收盘价计算，合计持股市值达到2.04亿元，*ST华微、深圳华强、宇环数控获得QFII持股市值居前，分别为0.87亿元、0.47亿元、0.22亿元。

（文章来源：数据宝）

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