冲击3连涨，科创芯片设计ETF国联安(588780)涨超1%

　　截至2026年6月17日10:36，科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨1.43%，盘中换手5.64%，成交5212.94万元，成分股芯动联科上涨6.22%，睿创微纳上涨5.77%，澜起科技上涨5.71%，中科蓝讯，东芯股份等个股跟涨。

　　科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、规模最大的产品。

　　消息面上，存储巨头SK海力士已向主要供应商通报了这项大规模扩产计划，目标是在2030至2031年间，将DRAM晶圆月产能从目前的约55万片提升至约100万片，近乎翻倍。

　　广发证券表示，AI算力需求从HBM/DRAM扩产、先进逻辑制程升级两条主线同步拉动全球晶圆厂设备投资（WFE）持续上修，叠加自主可控紧迫性提升，国产替代逻辑进一步强化。

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