SK海力士产能翻倍，科创芯片设计ETF天弘标的指数跳涨超3%

　　今日半导体板块继续大爆发，佰维存储盘中股价创历史新高，现涨8.25%，带动芯片ETF天弘(159310)标的指数飙涨4.14%，科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数同步上扬3.53%，连续两日“吸金”。

　　科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数囊括50家科创板芯片龙头企业，覆盖芯片设计、半导体设备、材料、制造等科创板芯片产业链，瞄准半导体高景气度细分赛道，单日涨跌幅20%。

　　芯片ETF天弘(159310)跟踪覆盖更广的中证芯片产业指数，一键布局芯片设计、制造、封测、设备、材料等全产业链，前十大权重股囊括了中芯国际、北方华创、兆易创新、中微公司等，其场外联接基金(A类：012552，C类：012553)。

　　消息面上：

　　①地缘降温→分母端修复：美国总统特朗普释放美国与伊朗“即将达成和平协议”信号，原油与通胀尾部风险回落，全球资金重新向AI/半导体等长久期成长资产回摆，利于科创板高弹性方向企稳反弹。

　　②SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍：SK海力士已完成375层3D NAND相关验证并推进产线落地，同时披露规划到2034年将晶圆产能提高约两倍——这让市场更愿意用“超级周期（供给刚性+需求刚性）”而非“短周期补库”去定价存储链，进而向其上游接口芯片/控制器/存储设计生态外溢。

　　③韩国出口数据是当下最硬的“需求证据”：韩国6月前10天出口同比+85.9%，其中半导体出口激增205.8%。

　　④材料端涨价预期在强化同一链条：机构梳理显示，国内半导体硅片在取消折让后开始酝酿新一轮直接涨价，价格传导从晶圆厂真正下沉到材料端；而长鑫科技IPO临近又把“DRAM设计—存储生态—国产材料替代”的预期继续升温。

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