碳化硅产业迎来催化：市场炒作“替代”逻辑需警惕
今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆。随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻，并一度引起资金的炒作。不过，对于这一说法，SICA深芯盟产业分析师卢兵在接受证券时报记者采访时表示，这个逻辑显著高估了技术现状和商业可行性，不宜将SiC卓越的导热性能直接等同于其作为复杂中介层的可行性，实际上二者是不同的概念。
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