国产替代浪潮下，光刻机技术突破引领半导体产业变革
国产替代的大背景下，9月18日半导体产业链走强，其中光刻机国产替代方向再度领涨。截至早间收盘，波长光电大涨15%，腾景科技涨超14%，华软科技、西陇科学、凯美特气、永新光学、海立股份等多股涨停，瑞联新材、华亚智能等涨超8%。
光刻机国产替代势在必行
光刻机是晶圆制造最核心设备之一，技术难度最高且当前国产化率最低。在半导体制造领域，光刻机是延续摩尔定律的核心装备。当前最高端的产品为ASML研发的EUV光刻机，能支持7nm甚至更先进工艺，是延续摩尔定律的核心突破，正推动半导体产业持续迭代。全球光刻机市场呈现出明显的寡头垄断格局，ASML、Nikon和Canon三家公司长期占据全球光刻机市场的主导地位。其中，ASML凭借其在高端光刻机领域的技术优势，2024年占据了全球光刻机市场61.2%的份额，特别是在EUV光刻机领域，ASML是全球唯一的供应商。
ASML股权结构显示，第一大股东是美国资本国际集团（Capital Research andManagement Company），拥有15.81%股权。第二大股东是美国贝莱德集团（BlackRock Inc.），拥有7.95%持股。第三大股东是英国巴美列捷福投资（Baillie Gifford），拥有4.54%股份。总体来说ASML受美国资本控制，这也是为何ASML虽是荷兰企业，却服从美国法令的原因。业内人士指出，中国目前是ASML光刻机最大的客户，2024年因晶圆厂扩产景气度及超额备货的因素中国区收入占比爆发增长至41%。海外制裁持续加剧，光刻机等核心科技受制于人的背景下，国产替代势在必行。
国产光刻机技术取得显著进展
光源是光刻机的核心之一，光刻机的工艺能力首先取决于其光源的波长，业内主流观点依据光源波长将现有的光刻机技术分为五代。第一、二代光刻机均为接触接近式光刻机，曝光方式为接触接近式，G线（G－line）光刻机，使用的是436nm波长的光源。而I线（I－line）使用的是365nm波长的光源，这两种光刻机，也叫作紫外光刻机。第三代升级为投影式光刻机，利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻，以扫描的方式实现曝光。这一代叫作KrF光刻机，采用248nm光源的光刻机。第四代的ArF光刻机，与第三代KrF原理一样，但光源升级，采用193nm光源的光刻机，这两种称之为DUV光刻机，也叫作DUV光刻机。而第五代叫作ArFi，前面三个字母相同，因为采用的也是193nm光源，但这种又与ArF不一样，之前所有的光刻机其介质采用的是空气，但到了ArFi时，采用的是水。光线在经过水时，会有折射，所以虽然ArFi光刻机采用193nm波长光源，等经水折射时，等效于134nm波长的光源，所以这种光刻机，又叫作浸润式光刻机。
国金证券表示，自“02专项”以来，以上海微为代表的光刻机整机公司在部分制程上已取得较为显著的成绩，完成了终端的0到1突破，在低端环节后续有望迎来产业端放量；在高端整机环节，2024年工信部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中将国产KrF及ArF光刻机明确列入，标志着我国在DUV光刻机已取得明确进展。
光刻机概念股年内集体大涨
综合市场观点来看，半导体行业的景气度持续回升、人工智能的发展对先进制程产能的需求，以及国产替代的技术突破，是光刻机概念受到市场青睐的重要因素。国际半导体产业协会测算，到2028年，先进工艺设备的资本支出将激增至超过500亿美元，与2024年投资的260亿美元相比，大幅增长94%，复合年增长率为18%。华金证券表示，光刻机技术仍是先进制程大规模量产的基石。从产业链角度来讲，该机构表示，除了整机（上海微电子、奥普光电）外，光学器件（茂莱光学、炬光科技等）、光源（福晶科技、波长光电）、物镜（赛微电子、福光股份）等都是光刻机工作的重要环节。在国产替代以及技术突破的背景下，相关上市公司受到投资者追捧，今年股价集体走强。据东方财富Choice数据，截至9月18日，A股93家具有光刻机概念的上市公司中，年内股价上涨的共计89家，上涨家数占比接近96%，平均涨幅更是高达49.18%。其中，联合化学涨幅最大，年内涨超3倍；凯美特气紧随其后，年内涨超2倍；腾景科技、肯特催化分别位列第三、第四，涨幅均超180%。此外，炬光科技、东材科技等多股，今年股价也已翻倍。
（文章来源：东方财富研究中心）
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