九峰山实验室突破6英寸磷化铟制备工艺 引领国产光芯片发展

网络 2025-08-19 20:25:21
市场资讯 2025-08-19 20:25:21 阅读

  国内半导体行业大尺寸磷化铟(InP)材料制备领域取得重大突破。

  8月19日,湖北九峰山实验室公布,近日,该实验室成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺,关键性能指标达到国际领先水平。这一突破将有望推动国产光芯片成本大幅下降,增强国产光芯片市场竞争力。

  据了解,磷化铟材料作为光通信、量子计算等领域的核心材料,长期面临大尺寸制备的技术瓶颈。目前,全球光电子产业高速发展,对磷化铟的需求呈现爆发式增长。九峰山实验室依托国产MOCVD设备与磷化铟衬底技术,首次开发出6英寸外延生长工艺,为实现规模化制备打下了基础。

  九峰山实验室还透露,本次联合国内供应链实现全链路突破,对促进我国化合物半导体产业链协同发展有重要影响。其中,云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已实现突破,量产在即。

  从全球范围来看,美国的Coherent(高意)已建立全球首个具备6英寸磷化铟晶圆生产能力的工厂。业内人士认为,九峰山实验室的6英寸InP工艺不仅填补了国内空白,更标志着中国在高端化合物半导体领域已进入全球第一梯队。

  九峰山实验室位于湖北武汉,致力于化合物半导体研发,打造共享科研平台。今年3月,该实验室还实现了8英寸硅基氮极性氮化镓高电子迁移率材料的制备,为前沿技术发展提供支撑。(文章来源:上海证券报)

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