
九峰山实验室磷化铟技术突破 推动光电子器件产业化
九峰山实验室在磷化铟材料领域取得重要技术突破,成功开发6英寸磷化铟基器件外延生长工艺,关键性能指标国际领先,推动光电子器件产业化发展。A股磷化铟概念股数量不足10家,相关公司市值规模居前。

镇洋发展筹划重组 磷化铟领域迎技术突破
镇洋发展筹划与浙江沪杭甬进行重大资产重组,股票停牌。同时,我国磷化铟领域取得重要技术突破,6英寸磷化铟工艺有望推动国产光芯片成本降低,增强市场竞争力。A股磷化铟概念股表现活跃,源杰科技、长光华芯等股价涨幅显著。

磷化铟技术突破引领光电子产业,概念股受关注
我国磷化铟领域取得重要技术突破,成功开发6英寸磷化铟基外延生长工艺,关键性能指标国际领先。光电子产业需求爆发,6英寸工艺有望降低国产光芯片成本,增强市场竞争力。磷化铟概念股出炉,三安光电、源杰科技等市值居前,云南锗

九峰山实验室突破6英寸磷化铟制备工艺 引领国产光芯片发展
湖北九峰山实验室成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺,关键性能指标国际领先,有望推动国产光芯片成本大幅下降,增强市场竞争力,并促进我国化合物半导体产业链协同发展。
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