AI算力引爆新材料赛道，科创新材料ETF（588010）逆市涨超2%.

　　6月11日盘中，A股主要指数走弱，创业板指跌1.03%，此前一度涨超1.4%；沪指跌0.55%，深成指跌0.91%。物理AI、影视院线、体育等板块指数跌幅居前，沪深京三市下跌个股超4500家。

　　上证科创板新材料指数(000689)逆市涨超2%，成分股华特气体涨超16%，神工股份涨超12%，金宏气体、安集科技涨超7%，南亚新材、凯赛生物、德邦科技均涨超5%。科创新材料ETF博时(588010)涨2.37%，最新价报1.208元。

　　科创新材料ETF博时（588010）成立于2022年9月30日，跟踪上证科创板新材料指数（000689），指数前十大持仓聚焦半导体硅片、碳化硅衬底、锂电正极材料、超导材料等核心赛道。截至2026年6月10日，ETF最新价格为1.182元，近1个月回报超11%，近5个交易日合计”吸金”6597万元。

　　近期多重利好催化

　　AI算力驱动碳化硅需求爆发

　　碳化硅（SiC）正成为AI时代被”严重忽略的核心主线”。随着英伟达GPU平台迭代，数据中心机柜功耗将从传统服务器的10-15千瓦飙升至2029-2030年的逾1.5兆瓦，涨幅接近100倍。华西证券研报指出，到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元，实现近8倍增长。Citrini预测，到2030年AI电源将占SiC电源市场的50%。

　　产业层面，2026年以来SiC行业迎来周期拐点：6英寸产品价格大幅反弹，8英寸止跌企稳。天岳先进2025年碳化硅衬底产量同比增长68.31%，销量同比增长75.33%。

　　华西证券指出，英伟达自2026年起适配GB300系列的AI智算中心必须采用固态变压器（SST）实现10kV至800V直流变换，SiC器件成为SST产品提升性能的核心支撑。该机构判断，到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元，实现近8倍增长；SiC有望成为AI新主线。（华西证券，《SiC深度（二）：AI新主线：碳化硅SiC》，2026.5.20）

　　半导体硅片涨价+国产替代双轮驱动

　　2026年5月起，全球硅片三巨头（信越、SUMCO、环球晶）启动年内第二轮涨价，累计涨幅超15%。SEMI预测，2026年中国大陆12英寸晶圆产能将增至321万片/月，约占全球总产能的三分之一。沪硅产业2025年300mm硅片销量达641.63万片，同比增长27.01%，28nm产线订单已锁定至2028年。

　　中信证券判断，AI需求驱动下半导体硅片行业进入上行周期，量增逻辑已在2025年显现，涨价逻辑有望在2026年Q2出现。该机构预计2027年全球/中国12英寸硅片市场达101/25亿美元，CAGR约为11.4%/25.2%；SEMI预计2026年中国大陆12英寸晶圆产能将增至321万片/月，国产替代进程有望加速。（中信证券，《半导体硅片再迎上行周期》，2026.4.27）

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