科创芯片设计ETF鹏华涨超2%，存储芯片供需缺口加剧

　　消息面上，在 SK 集团会长崔泰源宣布到 2030 年将 SK 海力士的存储产能扩大两倍之际，英伟达首席执行官黄仁勋表示仅凭这些供应仍不充足，要求进一步扩大。此外，马斯克真正的瓶颈在于芯片制造能力，目前美光的产能还远不及芯片实际需求。

　　国元证券数据显示，三大原厂HBM晶圆投入占比将从2025年的18%提升至2027年的30%，位元供应占比同步扩大；同时，英伟达与AMD加码AI PC平台布局，联发科下一代AI芯片全面采用英特尔EMIB-T封装，反映先进封装已成为产业竞争焦点，长期供应协议在AI供应链中愈发普遍以保障产能安全。

　　截至2026年6月9日 10:16，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.11%，成分股杰华特上涨20.00%，东芯股份上涨7.23%，纳芯微，南芯科技等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨2.12%，最新价报1.11元。

　　科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

　　数据显示，截至2026年5月29日，上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、寒武纪、海光信息、佰维存储、芯原股份、睿创微纳、东芯股份、晶晨股份、盛科通信、普冉股份，前十大权重股合计占比64.59%。

　　科创芯片设计ETF鹏华(589170)，场外联接(A：027608；C：027609)。

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