
科创芯片设计ETF鹏华涨超6%,板块迎来密集催化.
半导体芯片迎来密集催化,消息面上,1)AI算力与服务器芯片:需求激增推动产业链增长。AI服务器对12英寸硅片需求量是通用型服务器的3.8倍,HBM对硅片需求量是主流DRAM产品的3倍,AI算力需求爆发推动半导体设备板块26Q1营收同

科创芯片设计ETF鹏华涨超3%,第三大重仓股发布财报,量产收入涨超2倍
消息面上,4月29日芯原股份公布一季度财报,公司新签订单82.4亿元,AI算力占比超91%,量产收入增近220%。
机构认为,芯原股份今年Q1数据揭示了AI算力需求爆发带来的订单结构质变与量产规模效应。当前市场核心矛盾已
机构认为,芯原股份今年Q1数据揭示了AI算力需求爆发带来的订单结构质变与量产规模效应。当前市场核心矛盾已

科创芯片设计ETF鹏华涨超3%,英特尔一季度业绩全面超预期
消息面上,Intel发布2026年Q1财报,营收达136亿美元,超指引中值14亿美元,非GAAP毛利率41%超指引650个基点,连续6个季度超预期。
机构认为,Intel Q1业绩全面超预期,核心预期差在于市场此前过度聚焦GPU,而忽视了AI应用
机构认为,Intel Q1业绩全面超预期,核心预期差在于市场此前过度聚焦GPU,而忽视了AI应用

科创芯片设计ETF鹏华涨超3%,英特尔一季度业绩全面超预期.
消息面上,Intel发布2026年Q1财报,营收达136亿美元,超指引中值14亿美元,非GAAP毛利率41%超指引650个基点,连续6个季度超预期。
机构认为,Intel Q1业绩全面超预期,核心预期差在于市场此前过度聚焦GPU,而忽视了AI应用
机构认为,Intel Q1业绩全面超预期,核心预期差在于市场此前过度聚焦GPU,而忽视了AI应用

科创芯片设计ETF鹏华涨超2%,昇腾超节点系列产品全面支持DeepSeek V4
消息面上,昇腾超节点系列产品全面支持DeepSeekV4,本次通过双方芯模技术紧密协同,实现昇腾超节点全系列产品支持DeepSeekV4系列模型。昇腾950通过融合kernel和多流并行技术降低Attention计算和访存开销,大幅提升推理

科创芯片设计ETF鹏华涨超2%,昇腾超节点系列产品全面支持DeepSeek V4.
消息面上,昇腾超节点系列产品全面支持DeepSeekV4,本次通过双方芯模技术紧密协同,实现昇腾超节点全系列产品支持DeepSeekV4系列模型。昇腾950通过融合kernel和多流并行技术降低Attention计算和访存开销,大幅提升推理

科创芯片设计ETF鹏华涨超2%,MiniMax M2.7在全球正式开源
消息面上,4月12日,MiniMax M2.7在全球正式开源,携华为昇腾、摩尔线程、沐曦、昆仑芯、NVIDIA,以及Together AI、Fireworks、Ollama等芯片厂商、推理平台,在开源首日即完成模型接入与推理适配工作。据了解,M2.7是业界

科创芯片设计ETF鹏华涨超2%,MiniMax M2.7在全球正式开源.
消息面上,4月12日,MiniMax M2.7在全球正式开源,携华为昇腾、摩尔线程、沐曦、昆仑芯、NVIDIA,以及Together AI、Fireworks、Ollama等芯片厂商、推理平台,在开源首日即完成模型接入与推理适配工作。据了解,M2.7是业界

科创芯片设计ETF鹏华涨超2%,设备国产化率进入快速提升阶段
消息面上,存储供需紧缺程度较高,英伟达推出存储机柜新增NAND需求,闪迪预计2027年这部分可能会额外带来大约75-100EB的增量;26年海外存储原厂资本开支显著增长,主要扩充HBM等高端产品产能,预计2026-2027年DRAM与NAND产

科创芯片设计ETF鹏华涨超2%,设备国产化率进入快速提升阶段.
消息面上,存储供需紧缺程度较高,英伟达推出存储机柜新增NAND需求,闪迪预计2027年这部分可能会额外带来大约75-100EB的增量;26年海外存储原厂资本开支显著增长,主要扩充HBM等高端产品产能,预计2026-2027年DRAM与NAND产

科创芯片设计ETF鹏华涨超4%,国产超节点方案有望迎来量产元年
消息面上,在2025年国产AI加速卡份额飙升至41%(约165万块)的背景下,以太网正打破NVLink垄断。目前国内核心交换芯厂商已实现25.6T产品量产导入大厂,叠加头部厂商10万卡集群上线(时延低至4微秒,网络利用率超95%),产业路径

科创芯片设计ETF鹏华涨超4%,国产超节点方案有望迎来量产元年.
消息面上,在2025年国产AI加速卡份额飙升至41%(约165万块)的背景下,以太网正打破NVLink垄断。目前国内核心交换芯厂商已实现25.6T产品量产导入大厂,叠加头部厂商10万卡集群上线(时延低至4微秒,网络利用率超95%),产业路径

科创芯片设计ETF鹏华涨近3%,美光计划研发堆叠式GDDR技术
消息面上,美光科技正尝试首次研发采用堆叠式图形内存(GDDR)技术,公司正在准备必要的设备,并计划于2026年下半年开始工艺测试。公司早期设计预计将采用大约四层堆叠结构,原型产品最早可能在2027年问世。
中国银河
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科创芯片设计ETF鹏华涨近3%,美光计划研发堆叠式GDDR技术.
消息面上,美光科技正尝试首次研发采用堆叠式图形内存(GDDR)技术,公司正在准备必要的设备,并计划于2026年下半年开始工艺测试。公司早期设计预计将采用大约四层堆叠结构,原型产品最早可能在2027年问世。
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