科创芯片设计ETF鹏华 - 焦点财经资讯

科创芯片设计ETF鹏华涨近3%，美光计划研发堆叠式GDDR技术

　　消息面上，美光科技正尝试首次研发采用堆叠式图形内存（GDDR）技术，公司正在准备必要的设备，并计划于2026年下半年开始工艺测试。公司早期设计预计将采用大约四层堆叠结构，原型产品最早可能在2027年问世。

　　中国银河

2026-04-01

2026-04-01

科创芯片设计ETF鹏华涨近3%，美光计划研发堆叠式GDDR技术.

　　消息面上，美光科技正尝试首次研发采用堆叠式图形内存（GDDR）技术，公司正在准备必要的设备，并计划于2026年下半年开始工艺测试。公司早期设计预计将采用大约四层堆叠结构，原型产品最早可能在2027年问世。

　　中国银河

2026-04-01

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