科创芯片设计ETF鹏华涨超2%，英伟达力推800V架构.

　　碳化硅板块持续活跃，消息面上，英伟达力推800V架构，SiC（碳化硅）从“可选”变“必选”；此外SiC还有望替代Rubin封装中的Interposer，打开第二增长曲线。

　　华西证券研报称，到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元，有望实现近8倍增长，其中8吋下游FAB线的大量扩产有望大幅刺激衬底与设备需求。

　　截至2026年5月27日 10:13，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.06%，成分股思瑞浦上涨12.24%，中科蓝讯上涨8.49%，普冉股份上涨7.27%，纳芯微，帝奥微等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨2.25%，最新价报1.32元。

　　科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

　　数据显示，截至2026年4月30日，上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、海光信息、寒武纪、芯原股份、佰维存储、睿创微纳、东芯股份、盛科通信、晶晨股份、龙芯中科，前十大权重股合计占比62.87%。

　　科创芯片设计ETF鹏华(589170)，场外联接(A：027608；C：027609)。

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