科创芯片设计 ETF 国联安（588780）盘前上涨2.04%

　　科创芯片设计板块在AI算力需求爆发的驱动下表现强势，展现出显著的产业景气度。

　　从产业环境来看，全球半导体产业链供需格局持续优化，晶圆产能扩张有序推进，据报道长江存储计划年内建成第三座工厂并再新建两座，三座新厂全面投产后产能或将实现翻倍以上增长，单厂月产能规划达 10 万片晶圆，长期看将有效缓解晶圆供给紧张局面，为产业链下游产能释放提供支撑。

　　同时，半导体核心产品涨价趋势明确，海外研究机构预测传统DRAM合同价格可能环比再上涨60%，NAND可能上涨70-75%。另外，在成本上涨及 AI 需求爆发的大背景下，全球领先的电子元器件制造商太阳诱电亦发布多层陶瓷电容器（MLCC）等产品涨价函，被动元件涨价潮持续蔓延，产业链价格传导效应进一步显现。上游原材料端，氦气价格首次跳涨突破200元，4月底预期达300元，俄罗斯对氦气实施临时出口限制，产业链成本压力显著加剧，叠加下游需求旺盛，共同支撑半导体产品价格上行。

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