三星加速建设10nm DRAM工厂，HBM市场爆发在即
据媒体报道，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。国盛证券表示，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。相关上市公司中，中科飞测的3D AOI设备、三维形貌量测设备、套刻精度量测设备等多种设备已经通过HBM先进封装工艺的验证并批量销售，客户基本覆盖国内主要HBM厂商，客户订单量持续增长，在手订单充沛。华海诚科的颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证。
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