科创200ETF鹏华涨超3%，半导体、存储概念表现强势

　　今日科创200强势上涨，半导体、存储概念表现强势，消息面上：

　　1、存储涨价潮：据集邦咨询，2026年Q1通用型DRAM合约价环比暴涨90%-95%，Q2预计续涨58%-63%；NAND闪存Q1合约价环比涨55%-60%，Q2预计涨幅高达70%-75%。此外，2026年全球九大云服务提供商(CSP)资本支出上修至8300亿美元，年增长率从61%提升至79%。

　　2、巨头抢货SK海力士：消息面上，全球科技巨头正竞相向韩国存储大厂SK海力士抛出“橄榄枝”，纷纷提出投资为其新建生产设施并出资为其采购昂贵生产设备，只为抢先锁定存储芯片货源。

　　3、字节加码AI基础设施：公司今年计划资本支出将超过2000亿元人民币，较此前的初步计划增加了25%。上调资本开支主要源于：①对人工智能的投入不断增加；②内存芯片成本上涨。

　　4、中芯国际并购上会：上交所并购重组委审议中芯国际发行股份购买中芯北方49%股权事项，交易金额约406亿元，发行价每股74.20元。中芯国际作为国内晶圆代工龙头，其并购上会意味着国产半导体制造产能扩张进入关键节点。

　　券商研究方面，开源证券指出，从市场增速看，其测算未来两年全球、中国半导体市场规模CAGR均超过35%，相比此前预期的10%左右显著提升，全球WFE将在2027年达到2267亿美金，国内WFE将在2027达到795亿美金，国内设备公司在国产化率的提升下，收入增速有望显著超过海外公司。在此基础上，国内设备公司相较海外同类公司估值较低。高速扩张预期下，海外设备公司交易到4年周期高点，并且在1年维度纳斯达克前十涨幅占据2席，当前泛林动态PS超16倍，科磊接近17倍，应材10倍。对比国内设备公司华创仅6倍，中微与拓荆仅10倍，4年周期分位数约50%。海外设备公司主升浪与密集建厂节点统一，发生在去年年底，26年YTD均超60%。国内节奏落后1-2个季度，密集建厂发生自今年二季度开始，国产半导体设备主升浪有望由此开启。

　　截至2026年5月11日 14:04，上证科创板200指数(000699)强势上涨3.01%，成分股天承科技上涨20.00%，兴福电子上涨20.00%，精智达上涨15.93%，神工股份等个股跟涨。科创200ETF鹏华(588240)上涨3.04%， 冲击6连涨。最新价报1.9元。

　　科创200ETF鹏华紧密跟踪上证科创板200指数，上证科创板200指数从上海证券交易所科创板中选取市值较小且流动性较好的200只证券作为样本。上证科创200指数与上证科创板50成份指数、上证科创板100指数共同构成上证科创板规模指数系列，反映科创板市场不同市值规模上市公司证券的整体表现。

　　数据显示，截至2026年4月30日，上证科创板200指数(000699)前十大权重股分别为长光华芯、腾景科技、德科立、炬光科技、杰普特、嘉元科技、精智达、伟测科技、鼎通科技、聚和材料，前十大权重股合计占比19.43%。

　　科创200ETF鹏华(588240)，场外联接(A：023926；C：023927)。

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