逼空 - 焦点财经资讯

今日，科创芯片设计ETF国联安（588780）强势上涨3.03%，存储芯片价格的 “逼空” 行情显现

　　不同于以往周期的温和复苏，本轮存储涨价呈现出供给刚性约束下的快速上行态势。2026 年一季度 DRAM 合约价涨幅已上调至 90%-95%，接近翻倍；NAND Flash 合约价涨幅亦上调至 55%-60%。三星、SK 海力士等头部大厂将产

2026-04-30

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今日，科创芯片设计ETF国联安（588780）强势上涨3.03%，存储芯片价格的 “逼空” 行情显现.

　　不同于以往周期的温和复苏，本轮存储涨价呈现出供给刚性约束下的快速上行态势。2026 年一季度 DRAM 合约价涨幅已上调至 90%-95%，接近翻倍；NAND Flash 合约价涨幅亦上调至 55%-60%。三星、SK 海力士等头部大厂将产

2026-04-30

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