我国磷化铟领域取得重要技术突破，成功开发6英寸磷化铟基外延生长工艺，关键性能指标国际领先。光电子产业需求爆发，6英寸工艺有望降低国产光芯片成本，增强市场竞争力。磷化铟概念股出炉，三安光电、源杰科技等市值居前，云南锗